Power Electronics (3350903) MCQs

MCQs of Power Semi Conductor Devices and Controlled Rectifier

Showing 11 to 20 out of 27 Questions
1 2 3
11.

________ are thyristor devices which can be turned-on by light of appropriate wavelengths.

________એ થાઇરીસ્ટર ડિવાઈસ જે યોગ્ય તરંગલંબાઇના પ્રકાશ દ્વારા ચાલુ કરી શકાય છે.

(a)

LGTOs
(b)

LASERs
(c)

MASERs
(d)

LASCRs
Answer:

Option (d)

12.

The minimum value of anode current below which it must fall to completely turn-off the device is called as the

એનોડ કરંટની મીનીમમ કિંમત કે જેથી કરંટ નીચે જતા ડિવાઈઝ સંપૂર્ણ રીતે બંધ થી જાય છે, તે ...............તરીકે ઓળખાય છે

(a)

Holding current

હોલ્ડિંગ કરંટ
(b)

Latching current

લેચિંગ કરંટ
(c)

Switching current

સ્વીચીંગ કરંટ
(d)

Peak anode current

પીક એનોડ કરંટ
Answer:

Option (a)

13.

The latching current is _________ than the holding current.

લેચિંગ કરંટએ હોલ્ડિંગ કરતા______ છે

(a)

Lower

ઓછો
(b)

Higher

વધુ
(c)

Same as

જેટલો જ

(d)

Negative

નેગેટીવ
Answer:

Option (b)

14.

The two transistor model of the SCR can obtained by.........

 

SCRના બે ટ્રાંઝિસ્ટર મોડેલ એ ............ દ્વારા મેળવી શકાય છે

 

(a)

Bisecting the SCR vertically

SCRના ઉભા બે ભાગ કરવા થી
(b)

Bisecting the SCR horizontally

SCRના આડા બે ભાગ કરવા થી
(c)

Bisecting the SCRs top two & bottom two layers

SCRના ઉપરના બે લેયરના ભાગ અને નીચેના બે લેયરના ભાગ કરવા થી
(d)

Bisecting the SCRs middle two layers

SCRના વચ્ચે લેયરના બે ભાગ કરવા થી
Answer:

Option (d)

15.

 

Which of the following terminals does not belong to the MOSFET?

 

નીચેનામાંથી કયા ટર્મિનલ્સ MOSFET સાથે સંબંધિત નથી?

(a)

Drain

ડ્રેઇન
(b)

Gate

ગેઇટ

(c)

Base

બેઝ
(d)

Source

સોર્સ

Answer:

Option (c)

16.

Choose the correct statement.

સાચા નિવેદનને પસંદ કરો.

(a)

MOSFET is a uncontrolled device

મોસ્ફેટ એક અનિયંત્રિત ડિવાઇસ છે
(b)

MOSFET is a voltage controlled device

મોસ્ફેટ એ વોલ્ટેજ નિયંત્રિત ડિવાઇસ છે
(c)

MOSFET is a current controlled device

મોસ્ફેટ એ નિયંત્રિત ડિવાઇસ છે
(d)

MOSFET is a temperature controlled device

મોસ્ફેટ એ તાપમાન નિયંત્રિત ડિવાઇસ છે
Answer:

Option (b)

17.

Which among the following devices is the most suited for high frequency applications?

નીચેનામાંથી કયા ડિવાઇસ ઉચ્ચ ફ્રિકવન્સી ઉપયોગ માટે સૌથી યોગ્ય છે?

(a)

BJT
(b)

IGBT
(c)

MOSFET
(d)

SCR
Answer:

Option (c)

18.

The three terminals of the IGBT are

IGBTના ત્રણ ટર્મિનલ

(a)

Base, emitter & collector

બેઝ, એમીટર અને કલેક્ટર
(b)

Gate, source & drain

ગેટ, સોર્સ અને ડ્રેઇન
(c)

Gate, emitter & collector

ગેટ, એમીટર અને કલેક્ટર
(d)

Base, source & drain

બેઝ, સોર્સ અને ડ્રેઇન
Answer:

Option (c)

19.

The approximate equivalent circuit of an IGBT consists of

IGBTની અંદાજીત સમકક્ષ સર્કિટમાં…..હોય છે

(a)

BJT & MOSFET
(b)

MOSFET & MCT
(c)

Two BJTs
(d)

Two MOSFETs
Answer:

Option (a)

20.

In a three-phase half wave rectifier usually, the primary side of the transformer is delta connected because

થ્રી ફેઝ હાફ વેવ રેકટીફાયર માં ટ્રાન્સફોર્મરની પ્રાઈમરી ડેલ્ટામાં જોડાયેલ છે કારણ કે

(a)

It has no neutral

તેમાં ન્યુટ્રલ નથી
(b)

We can get greater output voltage

આપણે વધારે આઉટપુટ વોલ્ટેજ મેળવી શકીએ છીએ
(c)

Load balance on supply

સપ્લાય પર લોડ બેલેન્સ માટે

(d)

It provides better temperature stability

તે વધુ તાપમાન સ્થિરતાપૂરી પાડે છે
Answer:

Option (c)

Showing 11 to 20 out of 27 Questions
1 2 3