Electronic Components and Circuits (3330905) MCQs
MCQs of Semiconductor Diode and its Applications
| 11. |
The electrons in the third orbit of an atom have ____ energy than the electrons in the second orbit. અણુની ત્રીજી ભ્રમણકક્ષામાં આવેલા ઇલેક્ટ્રોન પાસે બીજા ભ્રમણકક્ષાના ઇલેક્ટ્રોન કરતાં____એનર્જી હોય છે.
|
||||||||
|
Answer:
Option (a) |
| 12. |
When an electron jumps from lower orbit to a higher orbit, it ____ energy. જ્યારે કોઈ ઇલેક્ટ્રોન અંદરની ભ્રમણકક્ષાથી બહારની ભ્રમણકક્ષામાં કૂદી જાય છે, ત્યારે તેમાં એનર્જી ______.
|
||||||||
|
Answer:
Option (a) |
| 13. |
The reverse current in a diode is of the order of ____. ડાયોડમાં રીવર્સ પ્રવાહ ____માં છે.
|
||||||||
|
Answer:
Option (c) |
| 14. |
The forward voltage drop across a silicon diode is about _____. સિલિકોન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ લગભગ _____ છે.
|
||||||||
|
Answer:
Option (d) |
| 15. |
A diode is used as ____. ડાયોડનો એક ઉપયોગ ______.
|
||||||||
|
Answer:
Option (b) |
| 16. |
An ideal diode is one which behaves as a perfect ____ when forward biased. એક આદર્શ ડાયોડ જ્યારે ફોરવર્ડ બાયસ હોય છે ત્યારે તે સંપૂર્ણ ____તરીકે વર્તે છે.
|
||||||||
|
Answer:
Option (a) |
| 17. |
If the temperature of a diode increases, then leakage current ____. ડાયોડ તાપમાનમાં વધારો થાય પછી લિકેજ કરંટમાં ______.
|
||||||||
|
Answer:
Option (c) |
| 18. |
If the doping level of a diode is increased, the breakdown voltage _____. જો ડાયોડનો ડોપિંગ લેવલ વધારવામાં આવે છે, તો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ ______.
|
||||||||
|
Answer:
Option (c) |
| 19. |
When the diode current is large, the bias is _____. જ્યારે ડાયોડ વર્તમાન મોટો હોય ત્યારે ____બાયસ હોય છે.
|
||||||||
|
Answer:
Option (a) |
| 20. |
The ripple factor of a half-wave rectifier is _____. હાફ વેવ રેકટીફાયર નું રિપ્પલ ફેક્ટર____છે.
|
||||||||
|
Answer:
Option (d) |
